光刻机：自主可控进入攻关阶段最强烈的信号

上周强调观点：国务院机构改革最新方案提出重新组建科学技术部，是自主可控进入攻关阶段最强烈的信号。

自主可控核心是底层技术，底层技术关键是芯片，芯片的痛点是设备和材料。

近期有外媒最新报道，一是在5月举行的G7广岛峰会上，将建立战略性芯片制造材料供应链，包括安全采购芯片和稀土等关键材料的目标；二是美国正在试图进一步收紧对向中国出口半导体制造设备的限制，预计最早在下月宣布，这些规定可能会使需要出口许可证的设备数量增加一倍。

毫无疑问，从上周阿斯麦光刻机开始，针对我国芯片制造产业链的围堵措施还会持续出台，所以尤其是设备端的国产替代紧迫性要比以往更强。

政策方面，后面科技领域的机构改革还有待落地，落地之后预计相关政策会加快推动。3月10日消息，国家大基金重要人员变更，可能也意味着大基金二期的投资活动会重新启动。

产业方面，根据最新的产业调研，2023年国内晶圆厂资本开支也好于预期，此前预期今年行业资本开支要从250亿美元下滑30%，但实际上可能下滑不到10%，甚至能持平或者正增长。

总之，自主可控依然是主旋律，目前半导体设备国产化率整体不到20%，其中部分环节如PVD、CMP、涂胶显影等国产化率不到10%，而光刻机仍处于技术突破阶段。美国设备目前占比依然在40%左右，所以美国后续如果继续扩大出口的限制，对产业链的影响还是不小的。

光刻机：光刻是晶圆制造的核心工序，在整个硅片加工成本中占到1/3，主要使用光刻机和涂胶显影机。光刻机市场规模约115亿美元，市场上荷兰阿斯麦占比75%，日本尼康和佳能占比13%、6%。国内光刻机国产化率不到1%。

刻蚀机：刻蚀是有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程，刻蚀机市场规模约120亿美元，市场上美国泛林半导体和应用材料分别占比50%、15%，日本TEL占比25%。国内刻蚀机国产化率23%。

薄膜沉积设备：薄膜沉积是芯片中各类薄膜形成的最主要方式，工艺分为物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和外延。PVD、CVD、ALD（CVD的一种）设备市场空间合计约125亿美元，其中CVD设备市场规模最大，达到80亿美元，美国应用材料和泛林半导体占比30%、21%，日本TEL占比19%。国内CVD设备国产化率不到5%，PVD设备国产化率则达到30%。

清洗机：几乎所有工艺流程都需要清洗环节，将硅片表面的颗粒、有机物、金属杂质等污染物去除，清洗机市场空间约35亿美元，日本DNS和TEL占比45%、25%，美国泛林半导体占比15%。国内清洗机国产化率达20%。